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onsemi FDS86140
| Artikelnummer: | FDS86140 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.98 |
| 10+ | $2.673 |
| 100+ | $2.1904 |
| 500+ | $1.8647 |
| 1000+ | $1.5726 |
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onsemi FDS86140 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDS86140.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC Serie PowerTrench® Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.8mOhm @ 11.2A, 10V Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2580 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11.2A (Ta) Grundproduktnummer FDS86 FDS86140 Einzelheiten PDF [English] FDS86140 PDF - EN.pdf -
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